系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标
型号
| JGP-450
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真空室尺寸
| 圆筒型真空室,Ф450 x350mm
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真空系统配置
| 复合分子泵、机械泵、闸板阀
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磁控靶组件
| 永磁靶3套
靶材尺寸Φ60mm (其中一个可以溅射磁性材料)
各靶射频溅射与直流溅射兼容
三个靶可共同折向上面的样品中心,靶与样品距离90-110mm可调
当直接向上溅射时,靶与样品距离40-80mm可调
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单机片水冷加热台
| 基片结构
| 基片加热与水冷独立工作,取下加热炉可以换上水冷基片台
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样品尺寸
| Φ30mm
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加热
| 基片加热最高温度600°C±1°C
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基片负偏压
| -200V
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气路系统
| 质量流量控制器2路
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计算机控制系统
| 控制样品转动、挡板开关、靶位确认等
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